TLP181(TPR,F) datasheet

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

• Маркировка
  TLP181(TPR,F)
• Производитель
  TOSHIBA Semiconductor
• Описание
  TOSHIBA Semiconductor TLP181(TPR,F) Input Type: DC Maximum Collector Emitter Voltage: 80 V Maximum Collector Emitter Saturation Voltage: 0.4 V Isolation Voltage: 3750 Vrms Current Transfer Ratio: 600 % Maximum Forward Diode Voltage: 1.3 V Maximum Input Diode Current: 20 mA Maximum Collector Current: 10 mA Maximum Power Dissipation: 200 mW Maximum Operating Temperature: + 110 C Minimum Operating Temperature: - 55 C Package / Case: SMD-4 Forward Current: 16 mA Maximum Fall Time: 3 us Maximum Reverse Diode Voltage: 5 V Maximum Rise Time: 2 us Number of Channels per Chip: 1 Channel Output Device: NPN Phototransistor Output Type: DC
• Количество страниц
  9 шт.
• Формат
  PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)
• Размер файла
  195,46 KB

TLP181(TPR,F) datasheet скачать

TLP181(TPR,F) datasheet